جوهر الابتكار التكنولوجي يكمن في رفع مستوى المواد. أصبحت مواد أشباه الموصلات من الجيل الثالث مثل كربيد السيليكون (SiC) ونيتريد الغاليوم (GaN) محورًا للبحث والتطوير نظرًا لمقاومتها الممتازة للجهد وخصائص التردد العالي. في الآونة الأخيرة، قام فريق محلي بتطوير أجهزة طاقة رائدة عالميًا من 10 كيلو فولت إلى 15 كيلو فولت من كربيد السيليكون والتي يمكن توصيلها مباشرة بشبكات الطاقة ذات الجهد المتوسط، مما يوفر المعدات الرئيسية لمراكز البيانات وتكامل شبكة الطاقة الجديدة. وفي الوقت نفسه، تعمل الشركات العالمية العملاقة على تكثيف التعاون لتطوير جيل جديد من أجهزة GaN بقدرة 650 فولت، والتي تهدف إلى تحسين كفاءة الطاقة في مختلف المجالات بدءًا من الشحن السريع للسيارات الكهربائية وحتى مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي.
هؤلاءعناصرهي حجر الزاوية في بناء نوع جديد من نظام الطاقة. تُستخدم مقاومات الجهد العالي لتقسيم الجهد بدقة وحماية محولات الطاقة الكهروضوئية ومحطات الشحن؛ يمكن للرقاقة المرجعية المتكاملة للجهد العالي الجديدة أن توفر "مسطرة" مستقرة للغاية لقياس الدقة. يمكن توقع أن تستمر المكونات ذات الجهد العالي الأكثر كفاءة وصغرًا في ضخ الطاقة الأساسية في ثورة الطاقة وترقية طاقة الحوسبة.
نحن نستخدم ملفات تعريف الارتباط لنقدم لك تجربة تصفح أفضل، وتحليل حركة مرور الموقع، وتخصيص المحتوى. باستخدام هذا الموقع، فإنك توافق على استخدامنا لملفات تعريف الارتباط.
سياسة الخصوصية
